Tipo di montaggio
Supporto superficiale
Descrizione
IGBT 1200V 8A segato su lamina
Contenitore/Involucro
Fustelle
Temperatura di funzionamento
-40 ~ 170 ℃
Applicazione
Del driver MOSFET
Tipo Fornitore
Produttore originale
Media Disponibile
Scheda tecnica
Corrente-Collettore (Ic) (Max)
N/A
-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
N/A
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
N/A
Corrente-Collettore di Taglio (Max)
N/A
DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
N/A
Frequenza-di Transizione
N/A
Temperatura di funzionamento
-55 ~ 170 ℃
Tipo di Ontaggio
Superficie di Montaggio
Resistenza-Emettitore Base (R2)
N/A
Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
1200 V
Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
N/A
Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
N/A
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
N/A
Corrente Nominale (Ampere)
N/A
Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
24 A
Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
N/A
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
N/A
-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
N/A
Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
N/A
Consumo di corrente (Id)-Max
N/A
-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
N/A
-Tensione di Offset (Vt)
N/A
Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
N/A
Corrente di Picco-Picco
N/A
