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Prezzo basso alta qualità SS8050 serie 25 V 1.5 A foro passante NPN Transistor epitassiale al silicio S8050

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Prezzo basso alta qualità SS8050 serie 25 V 1.5 A foro passante NPN Transistor epitassiale al silicio S8050
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Prezzo basso alta qualità SS8050 serie 25 V 1.5 A foro passante NPN Transistor epitassiale al silicio S8050

Attributi principali

Attributi specifici del settore

Numero del Modello
S8050
Tipo
MOSFET
Marca
JDP/Original Brand
Tipo del pacchetto
SMD/Inline

Altri attributi

Punto d'origine
Guangdong, China
Contenitore/Involucro
SOT-23
Temperatura di funzionamento
/
D/c
19 + 20 +
Applicazione
APPLICAZIONI DI PRODUZIONE ORIZZONTALE DI COLORE TV
Tipo Fornitore
Produttore originale, ODM, Agenzia
Croce di Riferimento
S8550
Media Disponibile
Scheda tecnica, Foto
Corrente-Collettore (Ic) (Max)
6 A
-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
100V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
1,5 V
Corrente-Collettore di Taglio (Max)
0,7 mA
DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15
Potenza-Max
65 W
Frequenza-di Transizione
3 MHz
Tipo di Ontaggio
Foro passante
Resistenza-Base (R1)
-
Resistenza-Emettitore Base (R2)
-
Tipo FET
-, N-Canale
Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
800V
Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
Frequenza
-
Corrente Nominale (Ampere)
200mA
Figura di rumore
-
Potenza di Uscita
250W
-Tensione Nominale
40V
Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
6V
Vgs (Max)
-
Tipo IGBT
-
Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
-
Ingresso
-
NTC Termistore
-
-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
-
Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Consumo di corrente (Id)-Max
-
-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
-
Resistenza-RDS (On)
-
Tensione-Uscita
-
-Tensione di Offset (Vt)
-
Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
-
Corrente-Valle (Iv)
-
Corrente di Picco-Picco
-
Tecnologia
Si
Prezzo
Contattarci per ottenere il prezzo più basso
Produttore:
JDP/Original brand plz contattarci
Categoria
Transistor
Caratteristiche
NPN,Vceo = 25V,Ic = 500mA
Modalità canale
Miglioramento
Descrizione funzionale
Transistor NPN al silicio
Tempo di consegna
98% parti in magazzino disponibile

Imballaggio e consegna

Pacchetto
Cartone
Orificio
shenzhen
Unità di vendita:
Articolo singolo
Dimensioni della confezione singola:
15X15X5 cm
Peso loro per unità:
0.500 kg

Capacità di fornitura

Capacità di fornitura
20000 Parte/parti per Week

Tempi di lavorazione

Opzioni di personalizzazione

Descrizione del prodotto data dal fornitore

Avvertenza/Dichiarazione di non responsabilità
California Proposition 65 Avvertimento per i consumatori
10 - 99 parti
1,86 €
100 - 999 parti
0,5524 €
>= 1000 parti
0,1218 €

Quantità

Spedizione

Costi di spedizione e tempi di consegna da concordare. Contatta il fornitore per maggiori informazioni.
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