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Transistor mosfet a canale P TO-252-3 circuiti integrati transistor 20V 4A mosfet di potenza transistor smd IPD60R600P7S

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Transistor mosfet a canale P TO-252-3 circuiti integrati transistor 20V 4A mosfet di potenza transistor smd IPD60R600P7S
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Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello
IPD60R600P7S
Tipo
MOSFET
Marca
Infineon Technologies
Tipo del pacchetto
Superficie di Montaggio

Altri attributi

Tipo di montaggio
SMD
Descrizione
P-channel mosfet transistors
Punto d'origine
China
Contenitore/Involucro
TO-252-3
Serie
mosfet transistors
D/c
NEW
Applicazione
Uso generale
Tipo Fornitore
ODM, Agenzia
品名
mosfet transistors
DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
25mΩ@4.5V
Potenza-Max
400mW
Temperatura di funzionamento
-55℃~+150℃@(Tj)
Tipo di Ontaggio
Superficie di Montaggio
Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
20V
Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
4A
payment
TT
Ship
DHL
Quality
100% Original 100% Brand
Service
One Stop Bom Service
Packing
2500 pcs/reel
Transistor Type
P-channel mosfet transistors

Imballaggio e consegna

Unità di vendita:
Articolo singolo
Dimensioni della confezione singola:
0.8X0.8X1 cm
Peso loro per unità:
0.010 kg

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Capacità di fornitura
1000000 Parte/parti per Day

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