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Fornitura di nuovo transistor MOS originale ad effetto di campo ad alta potenza TO-3P confezione FDA59N30

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Fornitura di nuovo transistor MOS originale ad effetto di campo ad alta potenza TO-3P confezione FDA59N30
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Fornitura di nuovo transistor MOS originale ad effetto di campo ad alta potenza TO-3P confezione FDA59N30

Attributi principali

Attributi specifici del settore

Numero del Modello
FDA59N30
Tipo
field-effect transistor high-power MOS transistor
Marca
EKOWEISS

Altri attributi

Descrizione
Tuffo
Punto d'origine
KOREA
Contenitore/Involucro
Imballaggio TO-3P
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ to + 175 ℃
Serie
FDA59N30
D/c
Ultimo anno
Tipo Fornitore
Produttore originale, ODM, Agenzia, Rivenditore rivenditore, Altro
Media Disponibile
Scheda tecnica, Foto, EDA/Modelli CAD, Altro
Resistenza-Base (R1)
-
Resistenza-Emettitore Base (R2)
-
FET Caratteristica
-
Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
-
Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
Corrente Nominale (Ampere)
-
Figura di rumore
-
Potenza di Uscita
Stabile
-Tensione Nominale
Stabile
Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
-
Vgs (Max)
-
Tipo IGBT
-
Configurazione
-
Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
-
Ingresso
-
NTC Termistore
-
-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
-
Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Consumo di corrente (Id)-Max
-
-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
-
Resistenza-RDS (On)
-
Tensione-Uscita
Stabile
-Tensione di Offset (Vt)
Stabile
Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
-
Corrente-Valle (Iv)
-
Corrente di Picco-Picco
-
Tipo di transistore
Transistor ad effetto di campo ad alta potenza MOS a transistor

Imballaggio e consegna

Pacchetto
Marchio nuovo originale scatola originale yuan etichetta.
Orificio
Hong Kong, Guangzhou, Shenzhen
Unità di vendita:
Articolo singolo
Dimensioni della confezione singola:
10X5X4 cm
Peso loro per unità:
0.500 kg

Tempi di lavorazione

Quantità (parti) 1 - 500000 > 500000
Tempo di lavorazione (giorni) 7 Da concordare

Opzioni di personalizzazione

Descrizione del prodotto data dal fornitore

Avvertenza/Dichiarazione di non responsabilità
California Proposition 65 Avvertimento per i consumatori

Tecnologia dei semiconduttori di Shenzhen yushuoxin Co., Ltd.

Fornitura di nuovo transistor MOS ad alta potenza originale a transistor ad effetto di campo TO-3P confezione FDA59N30.

Tecnologia dei semiconduttori di Shenzhen yushuoxin Co., Ltd. è un fornitore transfrontaliero di componenti elettronici. La sua attività principale è triodo a diodi, MOSFET a effetto di campo a media e bassa tensione, IGBT, singolo transistor, relè condensatore a film industriale controllato al silicio bidirezionale, connettore condensatore elettrolitico in alluminio, potenziometro, MLCC, chip, resistenza del condensatore, amplificatore di potenza, chip, chip del driver, Induttanza del tallone della lampada a LED e una serie di società di componenti elettronici originali per fornire supporto tecnico, fornitura sufficiente di campioni gratuiti, benvenuti a consultare e discutere la cooperazione.



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